Yazar "Ağan, Sedat" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 3 / 3
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi(Kırıkkale Üniversitesi, 2010) Şahin, Bünyamin; Ağan, SedatYaptığımız bu deneysel çalışmada; SiOx yapı içerisinde oluşturulmuş Ge ve SiGe nanokristalleinin optiksel ve elektriksel özelliklerini TEM, Raman ve Fotoışıma spekroskopileri teknikleri yardımıyla araştırdık. SiOx yapı içerisindeki Ge nanokristaller farklı tavlama sürelerinde Plazma ile hızlandırılmış kimyasal buharlatırma tekniği (PECVD yardımıyla oluşturuldu. Çalışmamızın amacı SiOx yapı içerisindeki Ge ve SiGe nanokristallerin boyut ve boyut dağılımlarını tavlama sürecine bağlı olarak araştırmaktır. TEM, Raman ve Fotoışıma ölçümleri yardımıyla nanokristallerin karakteriÖğe Synthesis and size differentiation of Ge nanocrystals in amorphous SiO 2(2006) Ağan, Sedat; Çelik-Aktaş, A.; Zuo, Jian-Min; Dana, Aykutlu; Aydınlı, A.Germanosilicate layers were grown on Si substrates by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and annealed at different temperatures ranging from 700-1010 °C for durations of 5 to 60 min. Transmission electron microscopy (TEM) was used to investigate Ge nanocrystal formation in SiO 2:Ge films. High-resolution cross section TEM images, electron energy-loss spectroscopy and energy dispersive X-ray analysis (EDX) data indicate that Ge nanocrystals are present in the amorphous silicon dioxide films. These nanocrystals are formed in two spatially separated layers with average sizes of 15 and 50 nm, respectively. EDX analysis indicates that Ge also diffuses into the Si substrate.Öğe Ultra hassas biyosensör uygulamaları için nanoaralıklı kapasitif sensörlerin dizaynı, fabrikasyonu ve karekteristiği(2015) Ağan, Sedat; Tekinay, Turgay; Yüksel, Mustafa; Güler, Mustafa Tahsin; Gülener, Neşet; Gümüş, Nebi Mustafa; Akdemir, Fatma[Abstract Not Available]
