Yazar "Bozer, Alim" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 1 / 1
  • Küçük Resim
    Öğe
    Nanokristalli-MOS (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde zamana bağlı kapasitans ölçümleri
    (Kırıkkale Üniversitesi, 2013) Bozer, Alim; Yaşar, Erdem
    Bu tezde Plazma ile Zenginleştirilmiş Kimyasal Buhar Depolama (PECVD) tekniği kullanılarak SiO2 yapılar içerisinde Ge nanokristalleri oluşturulmuştur ve yapısal özellikleri incelenmiştir. PECVD yöntemiyle oluşturulan amorf yapılara yüksek sıcaklık fırınında tavlama işlemi uygulanarak farklı sürelerde ısı verilmiştir ve yapıların amorf düzenden kristal hale geçmesi sağlanmıştır. Örnekler bir, üç ve beş katlı olarak oluşturulmuştur. Oluşturulan örneklerin elektriksel ölçümleri alınarak yapısı hakkında bilgiler edinilmeye çalışılmıştır. Üretilen örneklerin katman sayılarının değişmesinin elektriksel özelliklerine etkisi incelenmiştir. Nanokristallerin şarj oldukları akım-gerilim (I-V) eğrilerindeki ani artışlarla gözlemlenmiştir. Ayrıca şarj kapasiteleri de kapasitans-gerilim (C-V) eğrilerindeki histerisislerde gözlemlenmiştir. Histerislerde tek katlı örnekler arasında en fazla kayma 0,54 V olarak bulunmuştur. Kapasitans-zaman (C-t) ölçümleri alınmıştır ve Katman sayısının etkisi incelenmeye çalışılmıştır. Örneklere Al omik kontak eklenmiş ve Metal Oksit Yarıiletken yapısı hazır hale getirilmiştir. Omik kontak direnci Geçirgen Çizgi Methodu (TLM) kullanılarak ölçülmüştür ve kaçak akım olup olmadığı kontrol edilmiştir. Ge nanokristaller TEM görüntüleriyle ortaya konmuştur. Anahtar kelimeler: Germanyum Nanokristal, Kapasitans-Zaman, TEM, PECVD, Kapasitans-Gerilim, Akım-Voltaj, Silisyum dioksit.