Nanokristalli-MOS (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde zamana bağlı kapasitans ölçümleri

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorYaşar, Erdem
dc.contributor.authorBozer, Alim
dc.date.accessioned2021-01-16T19:08:21Z
dc.date.available2021-01-16T19:08:21Z
dc.date.issued2013
dc.departmentKKÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı
dc.description.abstractBu tezde Plazma ile Zenginleştirilmiş Kimyasal Buhar Depolama (PECVD) tekniği kullanılarak SiO2 yapılar içerisinde Ge nanokristalleri oluşturulmuştur ve yapısal özellikleri incelenmiştir. PECVD yöntemiyle oluşturulan amorf yapılara yüksek sıcaklık fırınında tavlama işlemi uygulanarak farklı sürelerde ısı verilmiştir ve yapıların amorf düzenden kristal hale geçmesi sağlanmıştır. Örnekler bir, üç ve beş katlı olarak oluşturulmuştur. Oluşturulan örneklerin elektriksel ölçümleri alınarak yapısı hakkında bilgiler edinilmeye çalışılmıştır. Üretilen örneklerin katman sayılarının değişmesinin elektriksel özelliklerine etkisi incelenmiştir. Nanokristallerin şarj oldukları akım-gerilim (I-V) eğrilerindeki ani artışlarla gözlemlenmiştir. Ayrıca şarj kapasiteleri de kapasitans-gerilim (C-V) eğrilerindeki histerisislerde gözlemlenmiştir. Histerislerde tek katlı örnekler arasında en fazla kayma 0,54 V olarak bulunmuştur. Kapasitans-zaman (C-t) ölçümleri alınmıştır ve Katman sayısının etkisi incelenmeye çalışılmıştır. Örneklere Al omik kontak eklenmiş ve Metal Oksit Yarıiletken yapısı hazır hale getirilmiştir. Omik kontak direnci Geçirgen Çizgi Methodu (TLM) kullanılarak ölçülmüştür ve kaçak akım olup olmadığı kontrol edilmiştir. Ge nanokristaller TEM görüntüleriyle ortaya konmuştur. Anahtar kelimeler: Germanyum Nanokristal, Kapasitans-Zaman, TEM, PECVD, Kapasitans-Gerilim, Akım-Voltaj, Silisyum dioksit.en_US
dc.description.abstractIn this thesis, Ge nanocrystals embedded in SiO2 were formed using by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique and structural features were studied. Amorphous structures which were formed by the method of PECVD were transformed to crystals by applying annealing process at a high temperature furnace with by giving different periods of heat. Samples were created as one-layer, three-layer and five-layer. Informations about the structure of the samples were obtained by taking electrical measurements. The effects of changes of layer numbers produced samples to electrical properties were studied. It was observed that Nanocrystals were charged that was due to the rapid increases in I-V curves. In addition, the hysteresis phenomenon was also observed in C-V measurement. This indicated that the charge storage effect resulted from the formed Ge nanocrystals. The highest slip obtained was found as 0,54 V in hysteresis among single layer samples. Capacitance-time (C-t) measurements were taken and the effect of layer numbers was investigated. Al ohmic contact was added to the samples hereby Metal Oxide Semiconductor structure was made available. Ohmic contact resistances were measured by using Transmission Line Method (TLM) and thus samples were checked for leakage. Ge nanocrystals were revealed with TEM images. Keywords: Germanium Nanocrystal, Capacitance-time, TEM, PECVD, Capacitance-Voltage, Current-Voltage, Silicon Dioxiden_US
dc.identifier.endpage74en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.uri
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12587/16566
dc.identifier.yoktezid343299
dc.language.isotr
dc.publisherKırıkkale Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.subjecten_US
dc.subjecten_US
dc.subjecten_US
dc.subjecten_US
dc.subjecten_US
dc.subjecten_US
dc.subjecten_US
dc.titleNanokristalli-MOS (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde zamana bağlı kapasitans ölçümlerien_US
dc.title.alternativeRetention time dependence on capacitance measurements of MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor with nanocrystalsen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
343299.pdf
Boyut:
6.01 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin/Full Text
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu