Mos (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde kapasitans ölçümleri

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorAğan, Sedat
dc.contributor.authorGümüş, Nebi Mustafa
dc.date.accessioned2021-01-16T19:08:20Z
dc.date.available2021-01-16T19:08:20Z
dc.date.issued2013
dc.departmentKKÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı
dc.description.abstractBu çalışmada, nano teknolojik uygulamalarda birçok araştırmacının dikkatlerini üzerine çekmeyi başaran, nano boyutlarda hafızalı malzeme üretimi amaçlandı. Bu doğrultuda, Plazma Destekli Kimyasal Buharlaştırma Tekniği (PECVD) yardımı ile ince filmler büyütüldü. Büyütülen bu filmler, daha sonra nanokristallerin oluşabilmesi için farklı sürelerde ısıl tavlanma işlemine tabi tutuldu. Silisyum oksit (SiO2) film içerisinde tavlama sonucu oluşan Ge nanokristallerin yapısal ve optiksel özellikleri; HRTEM, Raman ve Fotolüminesans teknikleri yardımıyla incelendi. Ge nanokristal içeren SiO2 ince filmler GeH4, SiH4 ve N2O gazlarının farklı akış oranları kullanılarak plazma ortamında büyütüldü. Raman ve TEM spektroskopisi yardımı ile farklı gaz akış oranlarında büyütülmüş filmlerde ve farklı sürelerdeki tavlamalarda Ge nanokristallerin oluşturulabileceği görüldü. Oluşturulan bu nanokristallerin boyutlarının gaz akış oranı ile tavlama süresine bağlı olduğu görüldü. Ayrıca SiO2 film içerisinde tavlama sonucu oluşan nanokristallerinin optiksel özelliklerine ilişkin olarak fotoışıma ölçümleri alındı. Elde edilen tüm bu sonuçlar, literatürle karşılaştırıldı ve uyum içerisinde olduğu görüldü. Ayrıca yeni sonuç ve bilgilerle literatüre katkı sağlandı. Anahtar kelimeler: Ge Nanokristal, C-V, TEM, XRD, SEM, PECVD, Fotolüminesans, Raman Spektroskopisien_US
dc.description.abstractIn this study, we have proposed to produce nano size memory metarials which are promised for nano technological aplications by many scienties. In this aim, thin films have been grown using by Plasma Enchanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). After that, grown these films have been annealed to form nanocrystals inside the matrix for different temperature ranges. As a result of annealing in the SiO2 film structural and optical properties of Genanocrystals; HRTEM, Raman and Photoluminescence techniques were covered. SiO2 thin films with Ge nanocriystals have been grown GeH4, SiH4 and N2O gases different flow rates using plasma chamber. Ge nanocrystals formations have beenobserved depends on annealing time and various gas flow rates by Raman and TEM. The results show that nanocrystals sizes depends on annealing time, temperature and flow rates, clearly. Morever, optical properties have been searched for these nanocrystals using by Photoluminescence (PL). The results werepresented in these thesis, have been showed good agrement with literature. Also our results and informations have been contributed to the literature Keywords: Ge Nanocrystal, C-V, TEM, XRD, SEM, PECVD, Photolüminescence, Raman Spectroscopyen_US
dc.identifier.endpage74en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.uriBu tezin, veri tabanı üzerinden yayınlanma izni bulunmamaktadır. Yayınlanma izni olmayan tezlerin basılı kopyalarına Üniversite kütüphaneniz aracılığıyla (TÜBESS üzerinden) erişebilirsiniz.
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12587/16562
dc.identifier.yoktezid344014
dc.language.isotr
dc.publisherKırıkkale Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/closedAccessen_US
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.subjecten_US
dc.subjecten_US
dc.subjecten_US
dc.subjecten_US
dc.subjecten_US
dc.titleMos (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde kapasitans ölçümlerien_US
dc.title.alternativeCapacitance measurements of mos capacitorsen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu