CdS ve ZnS yarıiletken bileşiklerin bazı optoelektronik özelliklerinin incelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorErel, Y.Şerafettin
dc.contributor.authorGöçer, Erdoğan
dc.date.accessioned2021-01-16T19:16:46Z
dc.date.available2021-01-16T19:16:46Z
dc.date.issued2002
dc.departmentKKÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Konu:Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering Dizin:Kadmiyum sülfür = Cadmium sulfide ; Yarı iletken ince filmler = Semiconductor thin films ; Yarı iletkenler = Semiconductors ; Çinko sülfür = Zinc sulfide
dc.description.abstractÖZET CdS ve ZnS YARIİLETKEN BİLEŞİKLERİN BAZI OPTOELEKTRONİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ GÖÇER, Erdoğan Kırıkkale Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı, Yüksek Lisans Tezi Danışman: Yrd. Doç. Dr. Şerafettin EREL Şubat 2002, 90 sayfa Bu tezde, saf ve in katkılı CdS bileşiği Spray Pyrolysis tekniği kullanılarak ince film haline getirilmiştir. %0.10, %0.15 ve %0.50 oranlarında in katılarak farklı oranlardaki katkı malzemesinin fotodedektörün çalışmasını ne şekilde etkilediği incelenmiştir. Bu amaçla düşük sıcaklıklarda ve vakum ortamında çalışabilecek bir sıvı azot kryostatı yapılmıştır. Deneyde, fotodedektörler farklı şiddetlerde ışık akısı ve lazer fotonlarıyla uyarılarak bu dedektörlerin tepkileri incelenmiştir. Ayrıca bu çalışmada ZnS yarıiletken malzemelerin de bazı optoelektronik özellikleri incelenmiştir. Anahtar Kelimeler: CdS, ZnS, Yarıiletken İncefilmler, He-Ne Laseren_US
dc.description.abstractABSTRACT A STUDY OF SOME OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF CdS and ZnS SEMICONDUCTOR COMPOUNDS GÖÇER Erdoğan Kırıkkale University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics, M. Sc. Thesis Supervisor: Asst. Prof. Dr. Şerafettin EREL February 2002, 99 pages In this thesis, pure and In doped CdS compounds have been obtained in the form of thin film by technique of Spray Pyroîysis. Doping In to the most material in various ratios which are 0.10%, 0.15% and 0.50%, the effect of doping ratio to the behaviours of the photodedectors have been studied. For this purpose, a low temperature crystat has been designed and pfoduced. In this work, omic values of the photodedectors, dependent on incident light flux, have been obtained by excitation of photodedectors using incoherent light flux in various intensities and He-Ne laser. Moreover, some optoelectronic properties of ZnS semiconductor materials in this work have also been studied. Key Words: CdS, ZnS, Semiconductor Thinfilms, He-Ne Laser 11en_US
dc.identifier.citationBu tezin, veri tabanı üzerinden yayınlanma izni bulunmamaktadır. Yayınlanma izni olmayan tezlerin basılı kopyalarına Üniversite kütüphaneniz aracılığıyla (TÜBESS üzerinden) erişebilirsiniz.en_US
dc.identifier.endpage99en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12587/17626
dc.identifier.yoktezid127387
dc.language.isotr
dc.publisherKırıkkale Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/closedAccessen_US
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.subjectAnayasa Mahkemesien_US
dc.subjectConstitutional Court ; Demokrasien_US
dc.subjectDemocracy ; İnsan haklarıen_US
dc.subjectHuman rightsen_US
dc.titleCdS ve ZnS yarıiletken bileşiklerin bazı optoelektronik özelliklerinin incelenmesien_US
dc.title.alternativeA Study of some optoelectronic properties of CdS and ZnS semiconductor compoundsen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu