PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorŞahin, Bünyamin
dc.contributor.authorAğan, Sedat
dc.date.accessioned2025-01-21T14:26:12Z
dc.date.available2025-01-21T14:26:12Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractYaptığımız bu deneysel çalışmada; SiOx yapı içerisinde oluşturulmuş Ge ve SiGe nanokristalleinin optiksel ve elektriksel özelliklerini TEM, Raman ve Fotoışıma spekroskopileri teknikleri yardımıyla araştırdık. SiOx yapı içerisindeki Ge nanokristaller farklı tavlama sürelerinde Plazma ile hızlandırılmış kimyasal buharlatırma tekniği (PECVD yardımıyla oluşturuldu. Çalışmamızın amacı SiOx yapı içerisindeki Ge ve SiGe nanokristallerin boyut ve boyut dağılımlarını tavlama sürecine bağlı olarak araştırmaktır. TEM, Raman ve Fotoışıma ölçümleri yardımıyla nanokristallerin karakteri
dc.description.abstractWe report an experimental study, optical properties of Ge and SiGe nanocrystals in SiOx structures are investigated by using Transmission Electron Microscopy (TEM), Raman and Photlüminescence Spectroscopy techniques. Ge nanocrystals in silicon oxide thin films have been grown with different annealing time by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique. The aim of our work is to determine size and size distiributions Ge, SiGe nanocrystals in SiOx martix due to annealing processes. TEM, Raman and Photolüminescence (PL) measuruments have been used to characterize their cyrstallization and light emission properties.
dc.identifier.dergipark345724
dc.identifier.issn1308-5514
dc.identifier.issue2-43
dc.identifier.startpage47
dc.identifier.urihttps://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/353310
dc.identifier.urihttps://dergipark.org.tr/tr/pub/umagd/issue/31720/345724
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12587/19881
dc.identifier.volume2
dc.language.isotr
dc.publisherKırıkkale Üniversitesi
dc.relation.ispartofUluslararası Mühendislik Araştırma ve Geliştirme Dergisi
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_20241229
dc.subjectKuantum nokta yapı
dc.subjectPECVD
dc.subjectTEM
dc.subjectFotoışıma
dc.subjectSilikon oksit
dc.subjectQuantumdot
dc.subjectPECVD
dc.subjectTEM
dc.subjectPhotolüminescence Silicon Oxide
dc.titlePECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi
dc.title.alternativePECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi
dc.typeArticle

Dosyalar

Koleksiyon

Uluslararası Mühendislik Araştırma ve Geliştirme Dergisi