The Effect Of Cu Doping On The Structural Properties And Electrical Resistivity Of MAPbI3 Perovskite Thin Films
[ X ]
Tarih
2022
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Kırıkkale Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Perovskite thin films have good power conversion efficiency because they have high carrier mobility and a long carrier lifetime. As a result of the research, the yield of perovskite materials has recently reached a maximum efficiency of 31% in the laboratory environment. To investigate the effects of doping on perovskite thin films' structural, surface, and electrical resistivity, structural properties of undoped and 10% Cu-doped perovskite thin films were characterized with XRD, FESEM, EDX, and AFM. Their electrical measurements are carried out using four-point probe method. The resistivity of undoped and 10% Cu-doped perovskite thin films decreased asymptotically with voltage increase.
Perovskit ince filmler yüksek taşıyıcı hareketliliği ve uzun taşıyıcı ömrüne sahip olduğundan tatmin edici bir güç dönüşüm verimliliğine sahiplerdir. Araştırmalar sonucu perovskit malzemelerin verimi son dönemlerde laboratuvar ortamında yaklaşık maksimum %31 verimliliğe ulaşmıştır. Bu amaçla katkılandırmanın perovskit ince filmlerinin yapısal, yüzeysel ve elektriksel özdirenç üzerine etkilerini araştırmak için, üretilen katkısız perovskit ince filmleri ve %10 Cu katkılı perovskit ince filmlerin XRD, EDX, FESEM ve AFM ile yapısal özellikleri ile birlikte four point probe metodu kullanılarak özdirenç ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Katkısız perovskit ince filmleri ve %10 Cu katkılı perovskit ince filmlerin özdirençlerinin artan voltajla birlikte asimptotik olarak azaldığı belirlenmiştir.
Perovskit ince filmler yüksek taşıyıcı hareketliliği ve uzun taşıyıcı ömrüne sahip olduğundan tatmin edici bir güç dönüşüm verimliliğine sahiplerdir. Araştırmalar sonucu perovskit malzemelerin verimi son dönemlerde laboratuvar ortamında yaklaşık maksimum %31 verimliliğe ulaşmıştır. Bu amaçla katkılandırmanın perovskit ince filmlerinin yapısal, yüzeysel ve elektriksel özdirenç üzerine etkilerini araştırmak için, üretilen katkısız perovskit ince filmleri ve %10 Cu katkılı perovskit ince filmlerin XRD, EDX, FESEM ve AFM ile yapısal özellikleri ile birlikte four point probe metodu kullanılarak özdirenç ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Katkısız perovskit ince filmleri ve %10 Cu katkılı perovskit ince filmlerin özdirençlerinin artan voltajla birlikte asimptotik olarak azaldığı belirlenmiştir.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Perovskite thin film, methylamine lead iodide, electrical resistivity., Perovskit ince film, metilamin kurşun iyodür, elektriksel özdirenç., Engineering
Kaynak
Uluslararası Mühendislik Araştırma ve Geliştirme Dergisi
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
1
Sayı
2-544
