The Effect Of Cu Doping On The Structural Properties And Electrical Resistivity Of MAPbI3 Perovskite Thin Films

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorKorkmaz, Satiye
dc.date.accessioned2025-01-21T14:28:59Z
dc.date.available2025-01-21T14:28:59Z
dc.date.issued2022
dc.description.abstractPerovskite thin films have good power conversion efficiency because they have high carrier mobility and a long carrier lifetime. As a result of the research, the yield of perovskite materials has recently reached a maximum efficiency of 31% in the laboratory environment. To investigate the effects of doping on perovskite thin films' structural, surface, and electrical resistivity, structural properties of undoped and 10% Cu-doped perovskite thin films were characterized with XRD, FESEM, EDX, and AFM. Their electrical measurements are carried out using four-point probe method. The resistivity of undoped and 10% Cu-doped perovskite thin films decreased asymptotically with voltage increase.
dc.description.abstractPerovskit ince filmler yüksek taşıyıcı hareketliliği ve uzun taşıyıcı ömrüne sahip olduğundan tatmin edici bir güç dönüşüm verimliliğine sahiplerdir. Araştırmalar sonucu perovskit malzemelerin verimi son dönemlerde laboratuvar ortamında yaklaşık maksimum %31 verimliliğe ulaşmıştır. Bu amaçla katkılandırmanın perovskit ince filmlerinin yapısal, yüzeysel ve elektriksel özdirenç üzerine etkilerini araştırmak için, üretilen katkısız perovskit ince filmleri ve %10 Cu katkılı perovskit ince filmlerin XRD, EDX, FESEM ve AFM ile yapısal özellikleri ile birlikte four point probe metodu kullanılarak özdirenç ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Katkısız perovskit ince filmleri ve %10 Cu katkılı perovskit ince filmlerin özdirençlerinin artan voltajla birlikte asimptotik olarak azaldığı belirlenmiştir.
dc.identifier.dergipark1050430
dc.identifier.doi10.29137/umagd.1050430
dc.identifier.issn1308-5514
dc.identifier.issue2-544
dc.identifier.startpage551
dc.identifier.urihttps://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/2164671
dc.identifier.urihttps://dergipark.org.tr/tr/pub/umagd/issue/71387/1050430
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.29137/umagd.1050430
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12587/20396
dc.identifier.volume1
dc.language.isoen
dc.publisherKırıkkale Üniversitesi
dc.relation.ispartofUluslararası Mühendislik Araştırma ve Geliştirme Dergisi
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_20241229
dc.subjectPerovskite thin film
dc.subjectmethylamine lead iodide
dc.subjectelectrical resistivity.
dc.subjectPerovskit ince film
dc.subjectmetilamin kurşun iyodür
dc.subjectelektriksel özdirenç.
dc.subjectEngineering
dc.titleThe Effect Of Cu Doping On The Structural Properties And Electrical Resistivity Of MAPbI3 Perovskite Thin Films
dc.title.alternativeCu katkısının MAPbI3 Perovskit İnce Filmlerin Yapısal Özellikleri ve Elektriksel Özdirenç Üzerine Etkisi
dc.typeArticle

Dosyalar

Koleksiyon

Uluslararası Mühendislik Araştırma ve Geliştirme Dergisi
TR-Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu